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2026年国防科技大学博士研究生“申请-考核”制招生专业基础笔试大纲
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2026年国防科技大学博士研究生“申请-考核”制招生专业基础笔试大纲
学院：理学院 学科：集成电路科学与工程（半导体材料与物理）
一、考试要求
考查考生对半导体材料与物理学科的基础理论、专业知识、应用技能和学科前沿熟悉程度，重点考察理论分析和解决问题的能力，同时考查考生科技文献阅读、分析能力和专业英语素养。
二、考试内容
1.掌握半导体材料与物理学科的基础理论与专业知识，并熟悉以下一种或几种方向的基本概念、基础理论和发展动态：
（1）半导体材料，包括传统硅和锗材料、第三代半导体材料、以及超宽禁带半导体材料等；
（2）半导体器件，包括传统场效应晶体管（MOSFET）、鳍形晶体管（FinFET）、环栅晶体管（GAAFET）、功率与射频器件、抗辐照器件等；
（3）半导体材料生长与表征，包括薄膜生长基本理论与方法、基本表征手段（SEM、TEM、STM、XPS、XRD、Raman等）与分析方法，半导体材料掺杂设计；
（4）半导体材料与器件计算，包括原子级EDA仿真、第一性原理计算、分子动力学模拟、机器学习等；
（5）半导体器件热管理，包括热分辨技术、热输运调控、器件热设计等；
（6）半导体器件可靠性，包括器件多物理场作用下的退化机理与失效模式（如热载流子效应、偏置温度不稳定性、辐照损伤等），可靠性物理建模与寿命预测方法。
2.科技文献阅读与分析。
三、考试形式
考试形式为闭卷、笔试，考试时间为150分钟，满分100分。
题型设置和分值设置如下：
1.基本概念或案例解析（共40分）
从给定的题目中任选2题作答（每题20分）。
2.综合能力考察题（共60分）
从给定的文献中选择1篇文献阅读，完成如下内容：
写一段不超过500字的英文摘要（15分）;并翻译成约300字的中文（15分）;针对该文献写一篇中文评述，重点归纳论文创新点，分析论文不足（30分）。
四、参考书目
1.《半导体物理学（第8版）》，刘恩科、朱秉升、罗晋升等编著，电子工业出版社；
2.《现代集成电路半导体器件》，胡正明著，王燕、张莉、叶佐昌、岳瑞峰译，电子工业出版社；
3.《固体物理学》，黄昆、韩汝琦著，高等教育出版社；
4.《量子力学》，钱伯初著，高等教育出版社；
5.《功率半导体器件——原理、特性和可靠性》，约瑟夫·卢茨著，卞抗译，机械工业出版社；
6.《半导体材料》，杨德仁、朱笑东、皮孝东编著，电子工业出版社；
7.《半导体器件基础》，蒋玉龙编，清华大学出版社；
8.《半导体器件物理与工艺》，施敏、李明逵著，王明湘、赵鹤鸣译，苏州大学出版社。
五、其他
可携带1本纸质英文词典，不得使用电子词典。
考试大纲下载:2026年考博国防科技大学博士研究生申请考核制集成电路科学与工程笔试大纲
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